12月7日,浙江大学郑毅研究员做客强磁场科学论坛,并做了题为“黑砷中的Spin-Valley Flavored Rashba能带和反常量子霍尔态”的报告,金沙贵宾厅-优惠大厅的众多老师和同学参加了此次报告会。
郑毅研究员的报告介绍了一种新型的二维电子气系统(2D Electronic System)-黑砷。 它具有非常高的双极性载流子迁移率,二维电子气(2DEG)和二维空穴气(2DHG)的Hall迁移率均>5000 cm2V-1s-1,且通过栅极电压连续可调。由于砷元素较重,黑砷中二维电子气和二维空穴气具有很强的内秉自旋轨道耦合效应,可用外电场调控实现能带的Rashba劈裂;对于二维空穴气,Rashba和Stark的协同效应可以实现自旋-能谷耦合(Spin-Valley Flavored)的新奇Rashba能带,并对应反常量子霍尔态。报告结束后,与会的老师和同学积极提问,就相关学术问题展开了热烈的讨论。
郑毅研究员,2008年博士毕业于新加坡国立大学物理系。博士后期间,和Prof. BarbarosOzyilmaz合作,在石墨烯-铁电异质结及其电子器件原型方向做了一些原创性的工作。2015年4月加入浙江大学物理系,当前研究方向为二维晶体的物性与新型电子器件,包括类黑磷材料的物性调控与量子霍尔效应二维铁磁、铁电与多铁材料的机理和器件,和二维磁性拓扑绝缘体。其通讯作者论文引用超过200次,其中类黑磷材料SnSe的热电物性研究,和拓扑外尔半金属载流子超高迁移率的研究工作均为ESI高引用论文。
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