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用户成果

SHMFF用户研发出一种主动智能太赫兹电光调制器

来源: 时间:2022-06-27 作者:任壮

  近日,稳态强磁场实验装置(SHMFF)用户中科院合肥研究院金沙贵宾厅-优惠大厅盛志高研究团队,依托SHMFF所属超导磁体SM1及超快光学系统成功研发了一种主动智能化的太赫兹电光调制器。相关研究成果以“Active and Smart Terahertz Electro-Optic Modulator Based on VO2 Structure”为题发表在国际期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。

  虽然具有优越的波谱特性和广泛的应用前景,太赫兹技术的工程应用还严重受制于太赫兹材料与太赫兹元器件的开发。其中,瞄准智能化场景应用,采用外场对太赫兹波进行主动、智能化的控制是这一领域的重要研究方向。

  瞄准太赫兹核心元器件这一前沿研究方向,金沙贵宾厅-优惠大厅磁光团队继2018年发明一种基于二维材料石墨烯的太赫兹应力调制器[Adv. Optical Mater. 6, 1700877(2018)]、2020年发明一种基于强关联氧化物的太赫兹宽带光控调制器[ACS Appl. Mater. Inter. 12, 48811(2020)]、2021年发明一种基于声子的新型单频磁控太赫兹源[Advanced Science 9, 2103229(2021)]之后,选择关联电子氧化物二氧化钒薄膜作为功能层,采用多层结构设计和电控方法,实现了太赫兹透射、反射和吸收多功能主动调制(图a)。研究结果表明,除了透射率和吸收率,反射率和反射相位也可被电场主动调控,其中反射率调制深度可以达到99.9%、反射相位可达~180o调制(图b)。更为有趣的是,为了实现智能化的太赫兹电控,研究人员设计了一种具有新型“太赫兹-电-太赫兹”的反馈回路的器件(图c)。不管起始条件和外界环境如何变化,该智能器件可以在30秒左右自动达到太赫兹的设定(预期)调制值。

  这一基于关联电子材料的主动、智能化太赫兹电光调制器的研发为太赫兹智能化控制的实现提供了新的思路。

  文章链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c04736 

(a)基于VO2的电光调制器示意图(b)透射率、反射率、吸收率和反射相位随外加电流变化(c)智能化控制原理图

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