中国科学院物理研究所李永庆研究员课题组林朝镜博士,在稳态强磁场实验装置变温X射线衍射仪(XRD)设备的支持下,对HgCr2Se4中的自旋耦合和巨磁电阻效应进行了深入的研究,并取得了新进展。该研究成果以“Spin correlations and colossal magnetoresistance in HgCr2Se4”为题发表在期刊《物理评论B》上 (Physical Review B 94, 224404 (2016); doi: 10.1103/PhysRevB.94.224404)。
在凝聚态物理中,巨磁电阻(CMR)效应一直是磁输运现象研究方面的热点问题。最近50年,在很多材料中发现了CMR现象,如钙钛矿、铕基硫族化合物、一氧化物、铬基尖晶石、烧绿石、辉钴矿等。同时,研究人员提出很多概念和模型来解释CMR效应的物理机制,如磁极化子、磁相分离等。但是,由于材料的多样性和复杂的多体相互作用,并且牵涉到自旋、晶格、电荷、轨道等自由度之间的耦合,导致CMR效应的物理机制一直得不到一个很好的解释。具有尖晶石结构的n型HgCr2Se4是研究CMR效应的理想体系。 HgCr2Se4中的铁磁态是通过Cr3+离子之间超交换作用建立的,3d3的电子构型使得该体系中不存在Jahn-Teller畸变。当顺磁-铁磁(PM-FM)相变发生时,伴随有绝缘-金属转变,从而导致5个量级的磁阻变化。更重要的是,当Cr3+离子间的自旋耦合增强时,CMR效应变大。因此可以断定,自旋耦合对这一体系的输运行为以及CMR效应起重要作用。
在本工作中,林朝镜博士在稳态强磁场实验装置变温X射线衍射仪设备的支持下,对n型HgCr2Se4中的自旋耦合和巨磁阻效应进行了研究。这项研究工作揭示了n型HgCr2Se4中低浓度的传导电子和三维海森堡铁磁之间的交换耦合。在室温,HgCr2Se4中的电子输运行为表现为普通的半导体行为。当温度降低到T*≈2.1Tc时,磁化率偏离了居里外斯定律,同时输运行为进入一个过渡温区(Tc < T < T*),在进入金属态之前表现出CMR效应。
实验结果表明,自旋耦合的决定性不仅发生在临界点附近,而且发生在Tc
文章链接:http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.224404。
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图(a)n-HgCr2Se4样品的变温X射线衍射谱;(b)n-HgCr2Se4的晶格常数随温度的变化。
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